特徴
- NチャンネルMOSFET、Plus内蔵ショットキー（SkyFETR）、VishaySemiconductor
仕様
- 入数：1テープ（20個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：14.6 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：16.5 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1.2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：5 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：818-1289
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|