特徴
- デュアルN/PチャンネルMOSFET、Nexperia
仕様
- 入数：1袋（40個入）
- チャンネルタイプ：N, P
- 最大連続ドレイン電流：550 mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：380 mΩ, 850 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：0.95V
- 最低ゲートしきい値電圧：0.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：+8 V
- パッケージタイプ：SOT-666
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：6
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：390 mW
- 標準ターンオフ遅延時間：80 ns、86 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：816-6814
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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