特徴
- デュアルPチャンネルMOSFET、Nexperia
仕様
- 入数：1袋（75個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：200 mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：6.5 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：1.1V
- 最低ゲートしきい値電圧：0.6V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-8 V, +8 V
- パッケージタイプ：SOT-363 （SC-88）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：6
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- 最大パワー消費：990 mW
- 標準ターンオン遅延時間：19 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：816-0573
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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