特徴
- PチャンネルMOSFET、100→400V、VishaySemiconductor
仕様
- 入数：1リール（800個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：6.8 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：200 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：500 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：125 W
- 高さ：4.83mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-6002
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|