特徴
- NチャンネルMOSFET、200→250V、VishaySemiconductor
仕様
- 入数：1チューブ（50個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：18 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：200 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：180 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：I2PAK （TO-262）
- 実装タイプ：スルーホール
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：130 W
- 標準ゲートチャージ @ Vgs：70 nC @ 10 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-6089
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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