特徴
- NチャンネルMOSFET、200→250V、VishaySemiconductor
仕様
- 入数：1リール（800個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：9 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：200 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：400 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：74 W
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-5995
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|