64-1371-16 [取扱停止]PNP トランジスタ 表面実装 80 V 4 A 3-Pin HUSON PBSS5580PA,115
[Nexperia] Nexperia PBSS5580PA,115 PNP Transistor, 4 A, 80 V, 3-Pin HUSON
特徴
- 低飽和電圧PNPトランジスタ、Nexperia
- NXPBISS(BreakthroughInSmallSignal)低飽和電圧PNPバイポーラ接合トランジスタ製品です。このデバイスは、非常に低いコレクタ-エミッタ飽和電圧と高いコレクタ電流容量を特長とし、小型省スペースのパッケージに収められています。このトランジスタは、損失が低減しているため、スイッチング用途やデジタル用途で使用されると、低発熱で効率が全体的に高まります。
仕様
- 入数:1リール(3000個入)
- トランジスタタイプ:PNP
- 最大DCコレクタ電流:4 A
- 最大コレクタ- エミッタ間電圧:80 V
- パッケージタイプ:HUSON
- 実装タイプ:表面実装
- 最大パワー消費:500 mW
- 最小DC電流ゲイン:70
- トランジスタ構成:シングル
- 最大コレクタ-ベース間電圧:-80 V
- 最大エミッタ-ベース間電圧:-7 V
- 最大動作周波数:100 MHz
- ピン数:3
- 1チップ当たりのエレメント数:1
- 動作温度 Min:-55 °C
- RoHS適合状況:適合
- コード番号:165-9988