64-1363-76 Pチャンネル パワーMOSFET 27 A 表面実装 パッケージPowerPAK 1212 8 ピン 1セット（3000個入） SISS23DN-T1-GE3
[Vishay] SISS23DN-T1-GE3 P-Channel MOSFET, 27 A, 20 V TrenchFET, 8-Pin PowerPAK 1212 Vishay
特徴
- PチャンネルMOSFET、TrenchFETGenIII、VishaySemiconductors
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：27 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：11.5 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：0.4V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-8 V, +8 V
- パッケージタイプ：PowerPAK 1212
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：57 W
- 標準ゲートチャージ @ Vgs：195 nC@10 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-6922
