特徴
- デュアルN/PチャンネルMOSFET、VishaySemiconductor
仕様
- 入数：1袋（20個入）
- チャンネルタイプ：N, P
- 最大連続ドレイン電流：4.7 A、6.8 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：40 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：42.5 mΩ, 62 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1.2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：3 W、3.1 W
- 1チップ当たりのエレメント数：2
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：812-3233
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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