64-1350-82 N+Pチャンネル パワーMOSFET 4.7 A、6.8 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン 1セット（2500個入） SI4599DY-T1-GE3
[Vishay] SI4599DY-T1-GE3 Dual N/P-Channel MOSFET, 4.7 A, 6.8 A, 40 V, 8-Pin SOIC Vishay
特徴
- デュアルN/PチャンネルMOSFET、VishaySemiconductor
仕様
- 入数：1リール（2500個入）
- チャンネルタイプ：N, P
- 最大連続ドレイン電流：4.7 A、6.8 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：40 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：42.5 mΩ, 62 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1.2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：3 W、3.1 W
- 標準ターンオン遅延時間：16 ns, 44 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-7255
