64-1350-80 ［取扱停止］N+Pチャンネル パワーMOSFET 6.4 A、12 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン SI4501BDY-T1-GE3
[Vishay] SI4501BDY-T1-GE3 Dual N/P-Channel MOSFET, 6.4 A, 12 A, 8 V, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay
特徴
- デュアルN/PチャンネルMOSFET、VishaySemiconductor
仕様
- 入数：1リール（2500個入）
- チャンネルタイプ：N, P
- 最大連続ドレイン電流：6.4 A、12 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：8 V、30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：20 mΩ, 37 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：0.45V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V、-8 V、+20 V、+8 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：コモンドレイン
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：3.1 W、4.5 W
- 1チップ当たりのエレメント数：2
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-7254
