特徴
- デュアルNチャンネルMOSFET、VishaySemiconductor
仕様
- 入数：1リール（2500個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：7 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：40 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：40 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：8
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.9 W
- 標準ターンオン遅延時間：33 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-7251
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|