特徴
- デュアルNチャンネルMOSFET、VishaySemiconductor
仕様
- 入数：1テープ（20個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：2 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：200 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：0.6V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-12 V, +12 V
- パッケージタイプ：TSOP
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：6
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：830 mW
- 標準ターンオフ遅延時間：14 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：812-3170
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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