特徴
- NチャンネルMOSFET、8→25V、VishaySemiconductor
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：7.9 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：38 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：0.4V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-8 V, +8 V
- パッケージタイプ：TSOP
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.7 W
- 標準ターンオフ遅延時間：21 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-6916
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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