64-1350-45　Pチャンネル パワーMOSFET 2.2 A 表面実装 パッケージSOT-23 （TO-236） 3 ピン 1セット（50個入）　SI2367DS-T1-GE3

特徴

• PチャンネルMOSFET、8→20V、VishaySemiconductor

仕様

• 入数：1テープ（50個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：2.2　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：20　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：130　mΩ
• 最低ゲートしきい値電圧：0.4V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-8　V,　+8　V
• パッケージタイプ：SOT-23　（TO-236）
• 実装タイプ：表面実装
• トランジスタ構成：シングル
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：1.7　W
• 1チップ当たりのエレメント数：1
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：812-3136