特徴
- PチャンネルMOSFET、8→20V、VishaySemiconductor
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：6 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：8 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：120 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：0.35V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-5 V, +5 V
- パッケージタイプ：SOT-23 （TO-236）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.5 W
- 動作温度 Max：+150 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-6906
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|