特徴
- PチャンネルMOSFET、8→20V、VishaySemiconductor
仕様
- 入数：1袋（20個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：4.3 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：75 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：0.4V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-8 V, +8 V
- パッケージタイプ：SOT-23 （TO-236）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：1.7 W
- 標準入力キャパシタンス @ Vds：1160 pF @ -10 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：812-3110
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|