特徴
- デュアルN/PチャンネルMOSFET、VishaySemiconductor
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N, P
- 最大連続ドレイン電流：600 mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：2.4 Ω, 760 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：0.4V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-8 V, +8 V
- パッケージタイプ：SOT-563
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：6
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：220 mW
- 1チップ当たりのエレメント数：2
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-6923
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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