特徴
- PチャンネルMOSFET、100→400V、VishaySemiconductor
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：2.7 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：250 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：3 Ω
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：50 W
- 幅：6.22mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：812-0650
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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