特徴
- PチャンネルMOSFET、100→400V、VishaySemiconductor
仕様
- 入数：1リール（2000個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：5.6 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：600 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：42 W
- 標準ゲートチャージ @ Vgs：18 nC @ 10 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-7218
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|