64-1329-62 ［取扱停止］Nチャンネル MOSFET 120 A、193 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン FDB029N06
[ON Semiconductor] FDB029N06 N-Channel MOSFET, 120 A, 193 A, 60 V PowerTrench, 3-Pin D2PAK ON Semiconductor
特徴
- PowerTrenchRNチャンネルMOSFET、60A超、FairchildSemiconductor
仕様
- 入数：1リール（800個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：120 A、193 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：3.1 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- 最大パワー消費：231 W
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：166-3598
