64-1329-44　Pチャンネル パワーMOSFET 1.33 A 表面実装 パッケージDPAK （TO-252） 3 ピン 1袋（10個入）　FQD3P50TM

特徴

• QFETRPチャンネルMOSFET、FairchildSemiconductor
• FairchildSemiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC（力率補正）、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル（PDP）、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗（RDS（on））を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量（Qg）と出力静電容量（Coss）を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数（FOM）を発揮できます。

仕様

• 入数：1袋（10個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：1.33　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：500　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：4.9Ω
• 最低ゲートしきい値電圧：3V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-30　V,　+30　V
• パッケージタイプ：DPAK　（TO-252）
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：50　W
• 1チップ当たりのエレメント数：1
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：808-9010
• 荷姿サイズ：80×140×10mm　0.01kg [荷姿サイズについて]