64-1329-41 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 7.4 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン FQB7N60TM
[ON Semiconductor] FQB7N60TM N-Channel MOSFET, 7.4 A, 600 V QFET, 3-Pin D2PAK ON Semiconductor
特徴
- QFETRNチャンネルMOSFET、6→10.9A、FairchildSemiconductor
- FairchildSemiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC（力率補正）、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル（PDP）、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗（RDS（on））を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量（Qg）と出力静電容量（Coss）を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数（FOM）を発揮できます。
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：7.4 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：600 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：3.6 Ω
- 最低ゲートしきい値電圧：3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：142 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：808-9004
