64-1326-83 Nチャンネル パワーMOSFET 2.1 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン 1セット（3000個入） MGSF1N03LT1G
[ON Semiconductor] MGSF1N03LT1G N-Channel MOSFET, 2.1 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 ON Semiconductor
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET、30V、ONSemiconductor
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：2.1 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：145 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2.4V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-23
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：690 mW
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：163-0633
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|