64-1326-03 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 20 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン HUF75329D3ST
[ON Semiconductor] HUF75329D3ST N-Channel MOSFET, 20 A, 55 V UltraFET, 3-Pin DPAK ON Semiconductor
特徴
- UltraFETRMOSFET、FairchildSemiconductor
- UItraFETRTrenchMOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。高い周波数、最低のRDS（on）、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。
- 用途：高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：20 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：55 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：26 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：128 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：807-6676
