64-1325-65　［取扱停止］Pチャンネル パワーMOSFET 5.7 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン　FQP8P10

特徴

• QFETRPチャンネルMOSFET、FairchildSemiconductor
• FairchildSemiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC（力率補正）、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル（PDP）、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗（RDS（on））を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量（Qg）と出力静電容量（Coss）を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数（FOM）を発揮できます。

仕様

• 入数：1チューブ（50個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：5.7　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：100　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：530　mΩ
• 最低ゲートしきい値電圧：2V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-30　V,　+30　V
• パッケージタイプ：TO-220
• 実装タイプ：スルーホール
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：65　W
• 標準ターンオフ遅延時間：20nS
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：166-2169