64-1296-69 Nチャンネル パワーMOSFET 11 A 表面実装 パッケージDPAK （TO-252） 3 ピン 1袋（10個入） RFD3055LESM9A
[ON Semiconductor] RFD3055LESM9A N-Channel MOSFET, 11 A, 60 V, 3-Pin DPAK ON Semiconductor
特徴
- 強化モードNチャンネルMOSFET、FairchildSemiconductor
- 強化モードの電界効果トランジスタ（FET）は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：11 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：107 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-16 V, +16 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：38 W
- 高さ：2.39mm
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：802-2159
