64-1295-17 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 38 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン NVD5865NLT4G
[ON Semiconductor] NVD5865NLT4G N-Channel MOSFET, 38 A, 60 V, 3-Pin DPAK ON Semiconductor
特徴
- NチャンネルパワーMOSFET、60V、ONSemiconductor
仕様
- 入数：1袋（20個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：38 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：19 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：71 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：802-1080
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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