特徴
- PチャンネルMOSFET、Nexperia
仕様
- 入数：1リール（10000個入）
- チャンネルタイプ：P
- 最大連続ドレイン電流：680 mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：20 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：850 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：1.3V
- 最低ゲートしきい値電圧：0.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-8 V, +8 V
- パッケージタイプ：SOT-883B
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- 最大パワー消費：2.7 W
- 動作温度 Max：+150 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-9873
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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