64-1257-65 Nチャンネル パワーMOSFET 13 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン 1袋（5個入） STB18N60M2
[STMicroelectronics] STB18N60M2 N-Channel MOSFET, 13 A, 650 V MDmesh M2, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics
特徴
- NチャンネルMDmeshM2シリーズ、STMicroelectronics
- STMicroelecronics製の高電圧パワーMOSFEシリーズです。低ゲート電荷と優れた出力静電容量が特長のMDmeshM2シリーズは、共鳴タイプのスイッチング電源（LLCコンバータ）に最適です。
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：13 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：650 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：280 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-25 V, +25 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：110 W
- 標準ターンオン遅延時間：12ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：792-5707
