64-1257-59 Nチャンネル パワーMOSFET 80 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン 1セット（1000個入） STB100N10F7
[STMicroelectronics] STB100N10F7 N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V STripFET H7, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics
特徴
- NチャンネルSTripFETH7シリーズ、STMicroelectronics
- 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETMOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
仕様
- 入数：1リール（1000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：80 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：8 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：150 W
- 動作温度 Min：-55 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-6549
