64-1254-64 Nチャンネル パワーMOSFET 80 A 表面実装 パッケージDPAK （TO-252） 3 ピン 1袋（10個入） STD80N4F6
[STMicroelectronics] STD80N4F6 N-Channel MOSFET, 80 A, 40 V DeepGate, STripFET, 3-Pin DPAK STMicroelectronics
特徴
- NチャンネルSTripFETDeepGate、STMicroelectronics
- 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETMOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
仕様
- 入数：1袋（10個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：80 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：40 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：6 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：70 W
- 動作温度 Max：+175 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：791-9308
