64-1254-55 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 1.2 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン STD1HN60K3
[STMicroelectronics] STD1HN60K3 N-Channel MOSFET, 1.2 A, 600 V MDmesh K3, SuperMESH3, 3-Pin DPAK STMicroelectronics
特徴
- NチャンネルMDmeshK3シリーズ、SuperMESH3、STMicroelectronics
仕様
- 入数：1リール（2500個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：1.2 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：600 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：8 Ω
- 最大ゲートしきい値電圧：4.5V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：27 W
- 動作温度 Max：+150 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：165-6580
