64-1254-52 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 13 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン STB18NM60ND
[STMicroelectronics] STB18NM60ND N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V FDmesh, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics
特徴
- NチャンネルFDmeshパワーMOSFET、STMicroelectronics
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：13 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：600 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：290 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：5V
- 最低ゲートしきい値電圧：3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-25 V, +25 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：130 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：791-9267
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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