特徴
- デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
仕様
- 入数：1テープ（5個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：8 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：17.5 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1.5V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：絶縁型
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- 最大パワー消費：4.4 W
- 標準ターンオン遅延時間：7 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：787-9462
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|