特徴
- NチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen IV、Vishay Semiconductors
仕様
- 入数:1リール(3000個入)
- チャンネルタイプ:N
- 最大連続ドレイン電流:30 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧:30 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗:5 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧:1.1V
- 最大ゲート-ソース間電圧:-16 V、+20 V
- パッケージタイプ:PowerPAK 1212
- 実装タイプ:表面実装
- ピン数:8
- チャンネルモード:エンハンスメント型
- 最大パワー消費:39 W
- 動作温度 Min:-55 °C
- RoHS適合状況:適合
- コード番号:165-7077
よくあるご質問(FAQ)
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|





