64-0661-21 Nチャンネル パワーMOSFET 35 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン STB45N65M5
[STMicroelectronics] STB45N65M5 N-Channel MOSFET, 35 A, 710 V MDmesh M5, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics
特徴
- NチャンネルMDmesh M5シリーズ、STMicroelectronics
- MDmesh M5パワーMOSFETは、高出力PFC及びPWMトポロジ向けに最適化されています。 シリコン区画あたりのオンステート損失の低さと低ゲート電荷が特長です。 太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：35 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：710 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：78 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：5V
- 最低ゲートしきい値電圧：3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-25 V, +25 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：210 W
- 標準ターンオフ遅延時間：79.5 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：783-2949
