64-0553-29 デュアル Nチャンネル パワーMOSFET 115 mA 表面実装 パッケージSOT-363 （SC-70）1セット（3000個入） 2N7002DW
[ON Semiconductor] 2N7002DW Dual N-Channel MOSFET, 115 mA, 60 V, 6-Pin SOT-363 (SC-70) ON Semiconductor
特徴
- 強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor
- 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
仕様
- 入数：1リール（3000個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：115 mA
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：13.5 Ω
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOT-363 （SC-70）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：6
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：200 mW
- 標準ターンオン遅延時間：5.85 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：166-1841
