64-0551-97 Nチャンネル パワーMOSFET 17 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン STB18NM80
[STMicroelectronics] STB18NM80 N-Channel MOSFET, 17 A, 800 V MDmesh, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics
特徴
- NチャンネルMDmesh、800 V / 1500 V、STMicroelectronics
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：17 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：800 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：295 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：5V
- 最低ゲートしきい値電圧：3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：190 W
- 標準ターンオン遅延時間：18 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：761-0392
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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