64-0550-87 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 20 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン STB26NM60N
[STMicroelectronics] STB26NM60N N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V MDmesh, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics
特徴
- NチャンネルMDmesh、600 V / 650 V、STMicroelectronics
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：20 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：600 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：165 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-25 V, +25 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：140 W
- 標準ターンオフ遅延時間：85 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：760-9503
