64-0550-83 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 21 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン STB25NM60ND
[STMicroelectronics] STB25NM60ND N-Channel MOSFET, 21 A, 600 V FDmesh, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics
特徴
- NチャンネルFDmeshパワーMOSFET、STMicroelectronics
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：21A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：600 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：160 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-25 V, +25 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：160 W
- 標準ターンオフ遅延時間：50ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：760-9493
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|