64-0546-53 Nチャンネル パワーMOSFET 11.2 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン 1セット(2500個入) FDS86140
[ON Semiconductor] FDS86140 N-Channel MOSFET, 11.2 A, 100 V PowerTrench, 8-Pin SOIC ON Semiconductor特徴
- PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
仕様
- 入数:1リール(2500個入)
- チャンネルタイプ:N
- 最大連続ドレイン電流:11.2 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧:100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗:17 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧:2V
- 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V
- パッケージタイプ:SOIC
- 実装タイプ:表面実装
- トランジスタ構成:シングル
- チャンネルモード:エンハンスメント型
- カテゴリー:パワーMOSFET
- 最大パワー消費:5 W
- 動作温度 Min:-55 °C
- RoHS適合状況:適合
- コード番号:166-2650
よくあるご質問(FAQ)
掲載カタログ情報
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