64-0546-34　Nチャンネル　パワーMOSFET　20　A　表面実装　パッケージPower　56　8　ピン　FDMS2672

特徴

• UltraFETR MOSFET、Fairchild Semiconductor
• UItraFETR Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。
• 用途：高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

仕様

• 入数：1個
• チャンネルタイプ：N
• 最大連続ドレイン電流：20　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：200　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：156　mΩ
• 最低ゲートしきい値電圧：2V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：Power　56
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：8
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：78　W
• トランジスタ素材：Si
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：759-9594