64-0546-18 Nチャンネル パワーMOSFET 8 A 表面実装 パッケージDPAK （TO-252） 3 ピン 1袋（5個入） FDD86102LZ
[ON Semiconductor] FDD86102LZ N-Channel MOSFET, 8 A, 100 V PowerTrench, 3-Pin DPAK ON Semiconductor
特徴
- PowerTrenchR NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：8 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：40 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：DPAK （TO-252）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：54 W
- 標準ゲートチャージ @ Vgs：18 nC @ 10 V
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：759-9475
