64-0545-32 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 52 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン 1袋（5個入） FDB52N20TM
[ON Semiconductor] FDB52N20TM N-Channel MOSFET, 52 A, 200 V UniFET, 3-Pin D2PAK ON Semiconductor
特徴
- 強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor
- 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：52 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：200 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：49 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：357 W
- 動作温度 Max：+150 °C
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：759-8983
