64-0545-28 ［取扱停止］Nチャンネル パワーMOSFET 33 A 表面実装 パッケージD2PAK （TO-263） 3 ピン 1セット（800個入） FDB33N25TM
[ON Semiconductor] FDB33N25TM N-Channel MOSFET, 33 A, 250 V UniFET, 3-Pin D2PAK ON Semiconductor
特徴
- UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor
- UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。
仕様
- 入数：1リール（800個入）
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：33 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：250 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：94 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：3V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-30 V, +30 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：235 W
- 標準ターンオフ遅延時間：75 ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：166-2437
