特徴
- Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：120 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：120 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：4.1 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：4V
- 最低ゲートしきい値電圧：2V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：シングル
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- 最大パワー消費：300 W
- 1チップ当たりのエレメント数：1
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：754-5437
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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