64-0519-03　［取扱停止］Pチャンネル　パワーMOSFET　18.6　A　表面実装　パッケージD2PAK　（TO-263）　3　ピン　SPB18P06PGATMA1

特徴

• Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET
• Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。
• ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応

仕様

• 入数：1リール（1000個入）
• チャンネルタイプ：P
• 最大連続ドレイン電流：18.6　A
• 最大ドレイン-ソース間電圧：60　V
• 最大ドレイン-ソース間抵抗：130　mΩ
• 最大ゲートしきい値電圧：4V
• 最低ゲートしきい値電圧：2.1V
• 最大ゲート-ソース間電圧：-20　V,　+20　V
• パッケージタイプ：D2PAK　（TO-263）
• 実装タイプ：表面実装
• ピン数：3
• チャンネルモード：エンハンスメント型
• カテゴリー：パワーMOSFET
• 最大パワー消費：81.1　W
• 幅：4.4mm
• RoHS適合状況：適合
• コード番号：165-6651