特徴
- Infineon CoolMOSC3パワーMOSFET
仕様
- 入数：1個
- チャンネルタイプ：N
- 最大連続ドレイン電流：16 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：560 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：280 mΩ
- 最大ゲートしきい値電圧：3.9V
- 最低ゲートしきい値電圧：2.1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：D2PAK （TO-263）
- 実装タイプ：表面実装
- ピン数：3
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：160 W
- 標準ターンオフ遅延時間：50ns
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：753-3150
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
| 掲載カタログ名 | 掲載ページ |
|---|