64-0512-16 ［取扱停止］N+Pチャンネル パワーMOSFET ±4.8 A ±5.1 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン ZXMC6A09DN8TA
[DiodesZetex] ZXMC6A09DN8TA Dual N/P-Channel MOSFET, 4.8 A, 5.1 A, 60 V, 8-Pin SOIC Diodes Inc
特徴
- デュアルN/PチャンネルMOSFET、Diodes Inc.
仕様
- 入数：1袋（5個入）
- チャンネルタイプ：N, P
- 最大連続ドレイン電流：±4.8 A, ±5.1 A
- 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V
- 最大ドレイン-ソース間抵抗：70 mΩ, 80 mΩ
- 最低ゲートしきい値電圧：1V
- 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V, +20 V
- パッケージタイプ：SOIC
- 実装タイプ：表面実装
- トランジスタ構成：絶縁型
- チャンネルモード：エンハンスメント型
- カテゴリー：パワーMOSFET
- 最大パワー消費：2.1 W
- トランジスタ素材：Si
- RoHS適合状況：適合
- コード番号：751-5338
よくあるご質問（FAQ）
掲載カタログ情報
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